Numer produktu producenta:
BSC106N025S G
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSC106N025S G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Magazyn:
12837307
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSC106N025S G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Ta), 30A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1370 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.8W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8-1
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000095470
BSC106N025SGXT
BSC106N025S G-DG
BSC106N025SG
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
CSD16410Q5A
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2506
NUMER CZĘŚCI
CSD16410Q5A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.27
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQD7P20TM_F080
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
IRLR230ATF
MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
FCP067N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A TO220